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TF412ST5G

TF412ST5G

僅供參考

型號 TF412ST5G
PNEDA編號 TF412ST5G
描述 JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 126,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TF412ST5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TF412ST5G
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
TF412ST5G, TF412ST5G數據表 (總頁數: 4, 大小: 303.16 KB)
PDFTF412ST5G數據表 封面
TF412ST5G數據表 頁面 2 TF412ST5G數據表 頁面 3 TF412ST5G數據表 頁面 4

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TF412ST5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)30V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)1.2mA @ 10V
電流消耗(Id)-最大10mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID180mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4pF @ 10V
電阻-RDS(On)-
功率-最大100mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱3-XFDFN
供應商設備包裝SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)

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ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

15V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

10mA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

50mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 100µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

SC-72

供應商設備包裝

3-SPA

PN4118

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

80µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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系列

*

FET類型

-

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

-

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

30V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

25mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10pF @ 12V (VGS)

電阻-RDS(On)

60 Ohms

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92-3

PN4117

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

30µA @ 10V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

600mV @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3pF @ 10V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

供應商設備包裝

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