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TFZGTR9.1B

TFZGTR9.1B

僅供參考

型號 TFZGTR9.1B
PNEDA編號 TFZGTR9-1B
描述 DIODE ZENER 9.1V 500MW TUMD2
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,816
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 8 - 十一月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TFZGTR9.1B資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TFZGTR9.1B
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
TFZGTR9.1B, TFZGTR9.1B數據表 (總頁數: 2, 大小: 53.52 KB)
PDFTFZGTR7.5B數據表 封面
TFZGTR7.5B數據表 頁面 2

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TFZGTR9.1B規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)9.1V
公差-
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)8 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 6V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱2-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝TUMD2

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

85 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 100mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

Through Hole

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阻抗(最大值)(閽zt)

200 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 39.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

2 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 6.25V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

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20 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 31V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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