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THGBMHG6C1LBAU6

THGBMHG6C1LBAU6

僅供參考

型號 THGBMHG6C1LBAU6
PNEDA編號 THGBMHG6C1LBAU6
描述 8GB NAND 15NM EMBEDDED MULTIMEDI
制造商 Toshiba Memory America, Inc.
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 19 - 十一月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

THGBMHG6C1LBAU6資源

品牌 Toshiba Memory America, Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號THGBMHG6C1LBAU6
類別半導體內存IC內存
數據表
THGBMHG6C1LBAU6, THGBMHG6C1LBAU6數據表 (總頁數: 2, 大小: 310.64 KB)
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THGBMHG6C1LBAU6規格

制造商Toshiba Memory America, Inc.
系列e•MMC™
內存類型Non-Volatile
內存格式FLASH
技術FLASH - NAND (MLC)
內存大小8Gb (1G x 8)
內存接口eMMC
時鐘頻率200MHz
寫周期-字,頁-
訪問時間-
電壓-供電2.7V ~ 3.6V
工作溫度-40°C ~ 105°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱153-WFBGA
供應商設備包裝153-WFBGA (11.5x13)

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內存大小

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時鐘頻率

167MHz

寫周期-字,頁

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訪問時間

3.4ns

電壓-供電

2.375V ~ 2.625V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

100-LQFP

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制造商

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系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

5MHz

寫周期-字,頁

4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.6V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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內存接口

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時鐘頻率

2MHz

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電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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時鐘頻率

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