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TIG074E8-TL-H

TIG074E8-TL-H

僅供參考

型號 TIG074E8-TL-H
PNEDA編號 TIG074E8-TL-H
描述 IGBT 400V 150A 8ECH
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIG074E8-TL-H資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIG074E8-TL-H
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
TIG074E8-TL-H, TIG074E8-TL-H數據表 (總頁數: 6, 大小: 322.48 KB)
PDFTIG074E8-TL-H數據表 封面
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TIG074E8-TL-H規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic5.4V @ 2.5V, 100A
功率-最大-
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)-
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝SOT-28FL/ECH8

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16A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

5V @ 15V, 11A

功率-最大

190W

開關能量

900µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/160ns

測試條件

850V, 16A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

230ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

供應商設備包裝

TO-268

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

180A

電流-集電極脈沖(Icm)

450A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.4V @ 15V, 40A

功率-最大

390W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

169nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-3P

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Rohm Semiconductor

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

234W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

79nC

25°C時的Td(開/關)

34ns/119ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

58ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247N

ISL9V2040D3S

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 4V, 6A

功率-最大

130W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

-/3.64µs

測試條件

300V, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 40A

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