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TIL113M

TIL113M

僅供參考

型號 TIL113M
PNEDA編號 TIL113M
描述 OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 252,588
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIL113M資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIL113M
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
TIL113M, TIL113M數據表 (總頁數: 14, 大小: 399.52 KB)
PDF4N29TVM數據表 封面
4N29TVM數據表 頁面 2 4N29TVM數據表 頁面 3 4N29TVM數據表 頁面 4 4N29TVM數據表 頁面 5 4N29TVM數據表 頁面 6 4N29TVM數據表 頁面 7 4N29TVM數據表 頁面 8 4N29TVM數據表 頁面 9 4N29TVM數據表 頁面 10 4N29TVM數據表 頁面 11

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TIL113M規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離4170Vrms
電流傳輸比(最小值)300% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)5µs, 100µs (Max)
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道150mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)80mA
Vce飽和度(最大值)1.25V
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝6-DIP

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3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

20% @ 16mA

電流傳輸比(最大值)

35% @ 16mA

開啟/關閉時間(典型值)

500ns, 600ns

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.7V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

63% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

125% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

6µs, 5.5µs

上升/下降時間(典型值)

3.5µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

55V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.1V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

-

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

AC, DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-30°C ~ 100°C

安裝類型

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電流傳輸比(最小值)

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-

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-

上升/下降時間(典型值)

80µs, 72µs

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

80mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

1V

工作溫度

-30°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

4-DIP (0.300", 7.62mm)

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電壓-隔離

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電流傳輸比(最小值)

1000% @ 1mA

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15000% @ 1mA

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上升/下降時間(典型值)

100µs, 20µs

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