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TIP110G

TIP110G

僅供參考

型號 TIP110G
PNEDA編號 TIP110G
描述 TRANS NPN DARL 60V 2A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 22,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIP110G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIP110G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TIP110G, TIP110G數據表 (總頁數: 8, 大小: 142.81 KB)
PDFTIP116數據表 封面
TIP116數據表 頁面 2 TIP116數據表 頁面 3 TIP116數據表 頁面 4 TIP116數據表 頁面 5 TIP116數據表 頁面 6 TIP116數據表 頁面 7 TIP116數據表 頁面 8

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TIP110G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 8mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)2mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 1A, 4V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 10mA, 5V

功率-最大

2W

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

400nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 100mA, 1V

功率-最大

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頻率-過渡

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 375mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10 @ 3A, 4V

功率-最大

2W

頻率-過渡

3MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

310mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 2A, 2V

功率-最大

25W

頻率-過渡

40MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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