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TIP115G

TIP115G

僅供參考

型號 TIP115G
PNEDA編號 TIP115G
描述 TRANS PNP DARL 60V 2A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,728
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 1 - 三月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIP115G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIP115G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TIP115G, TIP115G數據表 (總頁數: 8, 大小: 142.81 KB)
PDFTIP116數據表 封面
TIP116數據表 頁面 2 TIP116數據表 頁面 3 TIP116數據表 頁面 4 TIP116數據表 頁面 5 TIP116數據表 頁面 6 TIP116數據表 頁面 7 TIP116數據表 頁面 8

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TIP115G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic2.5V @ 8mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)2mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce1000 @ 1A, 4V
功率-最大2W
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

63 @ 150mA, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-243AA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

4.6A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

240mV @ 230mA, 4.6A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

180 @ 2A, 2V

功率-最大

2.1W

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工作溫度

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

400V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

16 @ 350mA, 5V

功率-最大

40W

頻率-過渡

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-225AA, TO-126-3

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 100mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 100mA, 1V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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