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TIP32BG

TIP32BG

僅供參考

型號 TIP32BG
PNEDA編號 TIP32BG
描述 TRANS PNP 80V 3A TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 50,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TIP32BG資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TIP32BG
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TIP32BG, TIP32BG數據表 (總頁數: 8, 大小: 227.62 KB)
PDFTIP32C數據表 封面
TIP32C數據表 頁面 2 TIP32C數據表 頁面 3 TIP32C數據表 頁面 4 TIP32C數據表 頁面 5 TIP32C數據表 頁面 6 TIP32C數據表 頁面 7 TIP32C數據表 頁面 8

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TIP32BG規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 375mA, 3A
當前-集電極截止(最大值)300µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce10 @ 3A, 4V
功率-最大2W
頻率-過渡3MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220AB

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 500mA, 5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

75 @ 3A, 5V

功率-最大

180W

頻率-過渡

30MHz

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 150mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

功率-最大

1.2W

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制造商

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系列

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

90 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

800mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

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