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TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ

僅供參考

型號 TK10P60W,RVQ
PNEDA編號 TK10P60W-RVQ
描述 MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK10P60W資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK10P60W,RVQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK10P60W規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9.7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs430mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.7V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds700pF @ 300V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)80W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

67A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.9mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1220pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

104A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 62A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3445pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.4mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

125nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+21V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6895pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.8Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.57nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6.6pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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