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TK19A45D(STA4,Q,M)

TK19A45D(STA4,Q,M)

僅供參考

型號 TK19A45D(STA4,Q,M)
PNEDA編號 TK19A45D-STA4-Q-M
描述 MOSFET N-CH 450V 19A TO-220SIS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,642
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK19A45D(STA4資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK19A45D(STA4,Q,M)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK19A45D(STA4規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列π-MOSVII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)450V
電流-25°C時的連續漏極(Id)19A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220SIS
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.35Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1335pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

225W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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-

FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

46.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2404pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

46.1W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 50A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 18mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

188nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3672pF @ 1kV

FET功能

-

功耗(最大值)

520W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

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