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TK34E10N1,S1X

TK34E10N1,S1X

僅供參考

型號 TK34E10N1,S1X
PNEDA編號 TK34E10N1-S1X
描述 MOSFET N-CH 100V 75A TO-220
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,028
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK34E10N1資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK34E10N1,S1X
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK34E10N1規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVIII-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2600pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)103W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

104mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

186pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

645pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

98.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

450pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2115pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

1.5W (Ta)

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1.45W (Ta)

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