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TK39N60W5,S1VF

TK39N60W5,S1VF

僅供參考

型號 TK39N60W5,S1VF
PNEDA編號 TK39N60W5-S1VF
描述 MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 21,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK39N60W5資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK39N60W5,S1VF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK39N60W5規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)38.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs74mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1.9mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs135nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4100pF @ 300V
FET功能-
功耗(最大值)270W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2Ohm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

106nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 425mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

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