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TK4P50D(T6RSS-Q)

TK4P50D(T6RSS-Q)

僅供參考

型號 TK4P50D(T6RSS-Q)
PNEDA編號 TK4P50D-T6RSS-Q
描述 MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK4P50D(T6RSS-Q)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK4P50D(T6RSS-Q)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK4P50D(T6RSS-Q)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列π-MOSVII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds380pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)80W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1630pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

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6.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

750mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

430pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

74W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

279nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

33A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2020pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 170W (Tc)

工作溫度

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