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TK560P65Y,RQ

TK560P65Y,RQ

僅供參考

型號 TK560P65Y,RQ
PNEDA編號 TK560P65Y-RQ
描述 MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 23,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK560P65Y資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK560P65Y,RQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK560P65Y規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs560mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 240µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14.5nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds380pF @ 300V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

223nC @ 10V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.3mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

290nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14500pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

985pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

30W (Tc)

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150°C (TJ)

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