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TK6P65W,RQ

TK6P65W,RQ

僅供參考

型號 TK6P65W,RQ
PNEDA編號 TK6P65W-RQ
描述 MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK6P65W資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK6P65W,RQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK6P65W規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 180µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds390pF @ 300V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

48mOhm @ 10A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 5V

Vgs(最大)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2980pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 120W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 115mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

25pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

430mW (Ta)

工作溫度

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