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TK6Q65W,S1Q

TK6Q65W,S1Q

僅供參考

型號 TK6Q65W,S1Q
PNEDA編號 TK6Q65W-S1Q
描述 MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK6Q65W資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK6Q65W,S1Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK6Q65W規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.8A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.05Ohm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 180µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds390pF @ 300V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 34A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2430pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

152nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

714W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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16.4A (Ta), 101A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5025pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 93.75W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

214nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12585pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

254W (Tc)

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FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 18W (Tc)

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