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TK7A60W,S4VX

TK7A60W,S4VX

僅供參考

型號 TK7A60W,S4VX
PNEDA編號 TK7A60W-S4VX
描述 MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK7A60W資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK7A60W,S4VX
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK7A60W規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列DTMOSIV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.7V @ 350µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds490pF @ 300V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)30W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220SIS
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

183A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

290W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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500mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

230mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 160mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 26µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.9nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

44pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

360mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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