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TK7P50D(T6RSS-Q)

TK7P50D(T6RSS-Q)

僅供參考

型號 TK7P50D(T6RSS-Q)
PNEDA編號 TK7P50D-T6RSS-Q
描述 MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK7P50D(T6RSS-Q)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK7P50D(T6RSS-Q)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK7P50D(T6RSS-Q)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列π-MOSVII
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.22Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds600pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)100W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D-Pak
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 290A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 15mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

840nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2270W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

255W (Tc)

工作溫度

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Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.25W (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Vgs(最大)

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