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TK7S10N1Z,LQ

TK7S10N1Z,LQ

僅供參考

型號 TK7S10N1Z,LQ
PNEDA編號 TK7S10N1Z-LQ
描述 MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 22,512
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TK7S10N1Z資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TK7S10N1Z,LQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TK7S10N1Z規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVIII-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs48mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.1nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds470pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DPAK+
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 10A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1260pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.2nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

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