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TLE2062AIDR

TLE2062AIDR

僅供參考

型號 TLE2062AIDR
PNEDA編號 TLE2062AIDR
描述 IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TLE2062AIDR資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TLE2062AIDR
類別半導體放大器IC線性-放大器-儀表,運算放大器,緩沖放大器

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TLE2062AIDR規格

制造商
系列Excalibur™
放大器類型J-FET
電路數2
輸出類型-
擺率3.4V/µs
增益帶寬積2MHz
-3db帶寬-
電流-輸入偏置4pA
電壓-輸入失調800µV
電流-電源625µA
電流-輸出/通道80mA
電壓-電源,單/雙(±)7V ~ 36V, ±3.5V ~ 18V
工作溫度-40°C ~ 85°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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擺率

225V/µs

增益帶寬積

-

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180MHz

電流-輸入偏置

1.2µA

電壓-輸入失調

140µV

電流-電源

1mA

電流-輸出/通道

80mA

電壓-電源,單/雙(±)

2.7V ~ 11V

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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擺率

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增益帶寬積

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-3db帶寬

54MHz

電流-輸入偏置

0.6pA

電壓-輸入失調

200µV

電流-電源

6.6mA

電流-輸出/通道

26mA

電壓-電源,單/雙(±)

5V ~ 24V, ±2.5V ~ 12V

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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放大器類型

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電路數

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輸出類型

-

擺率

870V/µs

增益帶寬積

410MHz

-3db帶寬

1.05GHz

電流-輸入偏置

2pA

電壓-輸入失調

400µV

電流-電源

19mA

電流-輸出/通道

40mA

電壓-電源,單/雙(±)

5V ~ 10V, ±2.5V ~ 5V

工作溫度

-40°C ~ 105°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

供應商設備包裝

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電路數

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輸出類型

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擺率

2.7V/µs

增益帶寬積

12MHz

-3db帶寬

-

電流-輸入偏置

40nA

電壓-輸入失調

40µV

電流-電源

2.2mA

電流-輸出/通道

10mA

電壓-電源,單/雙(±)

10V ~ 36V, ±5V ~ 18V

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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放大器類型

J-FET

電路數

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輸出類型

-

擺率

9V/µs

增益帶寬積

3.5MHz

-3db帶寬

-

電流-輸入偏置

6pA

電壓-輸入失調

350µV

電流-電源

210µA

電流-輸出/通道

12mA

電壓-電源,單/雙(±)

9V ~ 36V, ±4.5V ~ 18V

工作溫度

-40°C ~ 85°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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