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TLP292-4(GB-TP,E

TLP292-4(GB-TP,E

僅供參考

型號 TLP292-4(GB-TP,E
PNEDA編號 TLP292-4-GB-TP-E
描述 OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS SO16
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 89,993
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TLP292-4(GB-TP資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TLP292-4(GB-TP,E
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出

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TLP292-4(GB-TP規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
頻道數4
電壓-隔離3750Vrms
電流傳輸比(最小值)100% @ 5mA
電流傳輸比(最大值)600% @ 5mA
開啟/關閉時間(典型值)3µs, 3µs
上升/下降時間(典型值)2µs, 3µs
輸入類型AC, DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)80V
電流-輸出/通道50mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.25V
電流-直流正向(If)(最大值)50mA
Vce飽和度(最大值)300mV
工作溫度-55°C ~ 125°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-SOIC (0.179", 4.55mm Width)
供應商設備包裝16-SO

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5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

300% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

6µs, 8µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

40% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

80% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

5µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

19% @ 16mA

電流傳輸比(最大值)

50% @ 16mA

開啟/關閉時間(典型值)

320ns, 250ns

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.45V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

50% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

5µs, 5µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

160% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

256% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

1µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

100mA

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