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TLZ4V3B-GS08

TLZ4V3B-GS08

僅供參考

型號 TLZ4V3B-GS08
PNEDA編號 TLZ4V3B-GS08
描述 DIODE ZENER 4.3V 500MW SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $0.6181
500 ---------- $0.5891
1,000 ---------- $0.5602
2,500 ---------- $0.5312
5,000 ---------- $0.5070
10,000 ---------- $0.4829
庫存 237,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TLZ4V3B-GS08資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TLZ4V3B-GS08
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
TLZ4V3B-GS08, TLZ4V3B-GS08數據表 (總頁數: 8, 大小: 124.98 KB)
PDFTLZ2V7-GS08數據表 封面
TLZ2V7-GS08數據表 頁面 2 TLZ2V7-GS08數據表 頁面 3 TLZ2V7-GS08數據表 頁面 4 TLZ2V7-GS08數據表 頁面 5 TLZ2V7-GS08數據表 頁面 6 TLZ2V7-GS08數據表 頁面 7 TLZ2V7-GS08數據表 頁面 8

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TLZ4V3B-GS08規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)4.3V
公差-
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)40 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝SOD-80 MiniMELF

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47V

公差

±2%

功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

38 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 35.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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制造商

Microsemi Corporation

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

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公差

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功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 12.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

10V

公差

±5%

功率-最大

1.5W

阻抗(最大值)(閽zt)

5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 7.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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