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TN0110N3-G

TN0110N3-G

僅供參考

型號 TN0110N3-G
PNEDA編號 TN0110N3-G
描述 MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 16,452
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TN0110N3-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TN0110N3-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TN0110N3-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)350mA (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 500µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds60pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-3
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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14A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 14A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3800pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.4A (Ta), 50.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2343pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7Ohm @ 840mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

229pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

36W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 41A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 270µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

96nC @ 10V

Vgs(最大)

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