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TN6729A_D75Z

TN6729A_D75Z

僅供參考

型號 TN6729A_D75Z
PNEDA編號 TN6729A_D75Z
描述 TRANS PNP 80V 1A TO-226
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 23 - 四月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TN6729A_D75Z資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TN6729A_D75Z
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TN6729A_D75Z, TN6729A_D75Z數據表 (總頁數: 12, 大小: 609.56 KB)
PDFTN6729A_J05Z數據表 封面
TN6729A_J05Z數據表 頁面 2 TN6729A_J05Z數據表 頁面 3 TN6729A_J05Z數據表 頁面 4 TN6729A_J05Z數據表 頁面 5 TN6729A_J05Z數據表 頁面 6 TN6729A_J05Z數據表 頁面 7 TN6729A_J05Z數據表 頁面 8 TN6729A_J05Z數據表 頁面 9 TN6729A_J05Z數據表 頁面 10 TN6729A_J05Z數據表 頁面 11

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TN6729A_D75Z規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)1A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 10mA, 250mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce50 @ 250mA, 1V
功率-最大1W
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-226

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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頻率-過渡

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Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 600mA, 6A

當前-集電極截止(最大值)

400µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 300mA, 4V

功率-最大

65W

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安裝類型

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

360mV @ 1A, 10A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

240 @ 500mA, 2V

功率-最大

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

420 @ 2mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

300MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

500mW

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