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TP2540N3-G

TP2540N3-G

僅供參考

型號 TP2540N3-G
PNEDA編號 TP2540N3-G
描述 MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3
制造商 Microchip Technology
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庫存 8,292
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TP2540N3-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TP2540N3-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TP2540N3-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)86mA (Tj)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs25Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds125pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)740mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-3
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.2mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 46W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.24A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.6nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

64.3pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

430mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

28V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1760pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta), 5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

560mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

370pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 33W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

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10.16nC @ 5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

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