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TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

僅供參考

型號 TPC8014(TE12L,Q,M)
PNEDA編號 TPC8014-TE12L-Q-M
描述 MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8014(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8014(TE12L,Q,M)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TPC8014(TE12L, TPC8014(TE12L數據表 (總頁數: 7, 大小: 208.92 KB)
PDFTPC8014(TE12L數據表 封面
TPC8014(TE12L數據表 頁面 2 TPC8014(TE12L數據表 頁面 3 TPC8014(TE12L數據表 頁面 4 TPC8014(TE12L數據表 頁面 5 TPC8014(TE12L數據表 頁面 6 TPC8014(TE12L數據表 頁面 7

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TPC8014(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1860pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP (5.5x6.0)
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

84mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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FET類型

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技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

57A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

495nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8890pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

520W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

74mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

744pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

480mW (Ta), 4.17W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.1mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 83µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

125W (Tc)

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