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TPC8051-H(TE12L,Q)

TPC8051-H(TE12L,Q)

僅供參考

型號 TPC8051-H(TE12L,Q)
PNEDA編號 TPC8051-H-TE12L-Q
描述 MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8051-H(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8051-H(TE12L,Q)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPC8051-H(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVI-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.7mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs85nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7540pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP (5.5x6.0)
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 14A, 7V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 7V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3520pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

115mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

37A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

330mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

305nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9835pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1135W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

151pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta)

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