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TPC8113(TE12L,Q)

TPC8113(TE12L,Q)

僅供參考

型號 TPC8113(TE12L,Q)
PNEDA編號 TPC8113-TE12L-Q
描述 MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,258
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPC8113(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPC8113(TE12L,Q)
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TPC8113(TE12L, TPC8113(TE12L數據表 (總頁數: 7, 大小: 214.94 KB)
PDFTPC8113(TE12L數據表 封面
TPC8113(TE12L數據表 頁面 2 TPC8113(TE12L數據表 頁面 3 TPC8113(TE12L數據表 頁面 4 TPC8113(TE12L數據表 頁面 5 TPC8113(TE12L數據表 頁面 6 TPC8113(TE12L數據表 頁面 7

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TPC8113(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs107nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4500pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP (5.5x6.0)
包裝/箱8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

116nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7295pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

333W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

97mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

134nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2568pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

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