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TPCA8010-H(TE12LQM

TPCA8010-H(TE12LQM

僅供參考

型號 TPCA8010-H(TE12LQM
PNEDA編號 TPCA8010-H-TE12LQM
描述 MOSFET N-CH 200V 5.5A SOP-8 ADV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 3,762
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 23 - 一月 28 (選擇加急運輸)
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TPCA8010-H(TE12LQM資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPCA8010-H(TE12LQM
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPCA8010-H(TE12LQM規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列π-MOSV
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs450mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds600pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱8-PowerVDFN

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

63A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53.4nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5657pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

203W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 15A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.3nC @ 15V

Vgs(最大)

+18V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 600V

FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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