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TPCF8102(TE85L,F,M

TPCF8102(TE85L,F,M

僅供參考

型號 TPCF8102(TE85L,F,M
PNEDA編號 TPCF8102-TE85L-F-M
描述 MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 4,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 九月 30 - 十月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPCF8102(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPCF8102(TE85L,F,M
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TPCF8102(TE85L, TPCF8102(TE85L數據表 (總頁數: 7, 大小: 251.8 KB)
PDFTPCF8102(TE85L數據表 封面
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TPCF8102(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIII
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 200µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1550pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)700mW (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝VS-8 (2.9x1.5)
包裝/箱8-SMD, Flat Lead

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

535mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

430pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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1.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

88pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

800mW (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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安裝類型

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