TPD3215M
僅供參考
| 型號 | TPD3215M |
| PNEDA編號 | TPD3215M |
| 描述 | GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE |
| 制造商 | Transphorm |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 8,640 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸) |
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TPD3215M資源
| 品牌 | Transphorm |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | TPD3215M |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET，MOSFET-陣列 |
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TPD3215M規格
| 制造商 | Transphorm |
| 系列 | - |
| FET類型 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET功能 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 漏極至源極電壓（Vdss） | 600V |
| 電流-25°C時的連續漏極（Id） | 70A (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 34mOhm @ 30A, 8V |
| Vgs（th）（最大）@ ID | - |
| 門電荷（Qg）（最大值）@ Vgs | 28nC @ 8V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 2260pF @ 100V |
| 功率-最大 | 470W |
| 工作溫度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 包裝/箱 | Module |
| 供應商設備包裝 | Module |
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