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TPH3212PS

TPH3212PS

僅供參考

型號 TPH3212PS
PNEDA編號 TPH3212PS
描述 GANFET N-CH 650V 27A TO220
制造商 Transphorm
單價 請求報價
庫存 8,916
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPH3212PS資源

品牌 Transphorm
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPH3212PS
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPH3212PS規格

制造商Transphorm
系列-
FET類型N-Channel
技術GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)27A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs72mOhm @ 17A, 8V
Vgs(th)(最大)@ ID2.6V @ 400uA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 8V
Vgs(最大)±18V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1130pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)104W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2200pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta), 27W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-PowerVDFN

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制造商

Vishay Siliconix

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 70W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-252, (D-Pak)

包裝/箱

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制造商

Renesas Electronics America

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

+30V, -20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2300pF @ 25V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

34.7W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 11.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1886pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

980mW (Ta)

工作溫度

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