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TPH4R003NL,L1Q

TPH4R003NL,L1Q

僅供參考

型號 TPH4R003NL,L1Q
PNEDA編號 TPH4R003NL-L1Q
描述 MOSFET N-CH 30V 63A 8SOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 33,012
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPH4R003NL資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPH4R003NL,L1Q
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPH4R003NL規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSVIII-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.3V @ 200µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14.8nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1400pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta), 36W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱8-PowerVDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

76nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5015pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 180µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

807pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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31.3A (Ta), 100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5325pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.2W (Ta), 215W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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