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TPH6R004PL,LQ

TPH6R004PL,LQ

僅供參考

型號 TPH6R004PL,LQ
PNEDA編號 TPH6R004PL-LQ
描述 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPH6R004PL資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPH6R004PL,LQ
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TPH6R004PL規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列U-MOSIX-H
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)87A (Ta), 49A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 200µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2700pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)1.8W (Ta), 81W (Tc)
工作溫度175°C
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP Advance (5x5)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 7.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 10V

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta), 18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2065pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 100W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1515pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

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