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TPMR10D S1G

TPMR10D S1G

僅供參考

型號 TPMR10D S1G
PNEDA編號 TPMR10D-S1G
描述 DIODE GEN PURP 200V 10A TO277A
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 145,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TPMR10D S1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TPMR10D S1G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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TPMR10D S1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 10A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F140pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-277, 3-PowerDFN
供應商設備包裝TO-277A (SMPC)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

35V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-2 Full Pack

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AA, DO-4, Stud

供應商設備包裝

DO-203AA

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

RS2JA-13-F

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SMA

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

70A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 220A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

DO-203AB

工作溫度-結點

-65°C ~ 180°C

EGP10CHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

22pF @ 4V, 1MHz

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