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TSC5988CT B0G

TSC5988CT B0G

僅供參考

型號 TSC5988CT B0G
PNEDA編號 TSC5988CT-B0G
描述 TRANSISTOR NPN TO92
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 9 - 四月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSC5988CT B0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSC5988CT B0G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
TSC5988CT B0G, TSC5988CT B0G數據表 (總頁數: 5, 大小: 235.52 KB)
PDFTSC5988CT B0G數據表 封面
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TSC5988CT B0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)60V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic350mV @ 200mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 2A, 1V
功率-最大1W
頻率-過渡130MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92

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550mV @ 1.25mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

20nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 3A, 4V

功率-最大

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

400 @ 3A, 2V

功率-最大

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