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TSD30H150CW MNG

TSD30H150CW MNG

僅供參考

型號 TSD30H150CW MNG
PNEDA編號 TSD30H150CW-MNG
描述 DIODE, SCHOTTKY, TRENCH, 30A, 15
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 27 - 二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSD30H150CW MNG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSD30H150CW MNG
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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TSD30H150CW MNG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列*
二極管配置-
二極管類型-
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)(每個二極管)-
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度-
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
工作溫度-結點-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.36V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 150V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

400mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 200mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 250V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

80ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.17V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

18µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 2000V

工作溫度-結點

-

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