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TSM150NB04CR RLG

TSM150NB04CR RLG

僅供參考

型號 TSM150NB04CR RLG
PNEDA編號 TSM150NB04CR-RLG
描述 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 24,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM150NB04CR RLG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM150NB04CR RLG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TSM150NB04CR RLG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)10A (Ta), 41A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1092pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta), 56W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PDFN (5x6)
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

132nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2760pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

370mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2297pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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