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TSM1N45DCS RL

TSM1N45DCS RL

僅供參考

型號 TSM1N45DCS RL
PNEDA編號 TSM1N45DCS-RL
描述 MOSFET N-CHANNEL
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,226
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM1N45DCS RL資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM1N45DCS RL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
TSM1N45DCS RL, TSM1N45DCS RL數據表 (總頁數: 6, 大小: 121.08 KB)
PDFTSM1N45DCS RL數據表 封面
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TSM1N45DCS RL規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)-
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.25Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.9V @ 250mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

104A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 52A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7220pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

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安裝類型

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.1A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 10V

功率-最大

3.6W

工作溫度

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A, 3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

165pF @ 10V

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

87mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.8nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

680pF @ 15V

功率-最大

490mW

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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