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TSM1NB60SCT B0G

TSM1NB60SCT B0G

僅供參考

型號 TSM1NB60SCT B0G
PNEDA編號 TSM1NB60SCT-B0G
描述 MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,866
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM1NB60SCT B0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM1NB60SCT B0G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
TSM1NB60SCT B0G, TSM1NB60SCT B0G數據表 (總頁數: 7, 大小: 694.91 KB)
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TSM1NB60SCT B0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)500mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.1nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds138pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.9mOhm @ 51A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

162nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6484pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

417W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 275µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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功耗(最大值)

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