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TSM2537CQ RFG

TSM2537CQ RFG

僅供參考

型號 TSM2537CQ RFG
PNEDA編號 TSM2537CQ-RFG
描述 MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,192
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM2537CQ RFG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM2537CQ RFG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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TSM2537CQ RFG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate, 1.8V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11.6A (Tc), 9A (Tc)
Rds On(Max)@ Id,Vgs30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds677pF @ 10V, 744pF @ 10V
功率-最大6.25W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-VDFN Exposed Pad
供應商設備包裝6-TDFN (2x2)

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HEXFET®

FET類型

N and P-Channel

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A, 3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 25V

功率-最大

1.25W

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

115pF @ 10V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

153nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4530pF @ 25V

功率-最大

138W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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