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TSM2N7000KCT B0G

TSM2N7000KCT B0G

僅供參考

型號 TSM2N7000KCT B0G
PNEDA編號 TSM2N7000KCT-B0G
描述 MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM2N7000KCT B0G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM2N7000KCT B0G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TSM2N7000KCT B0G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)300mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.4nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7.32pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)400mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

300nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11000pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

345W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93.4nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10502pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 120µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6540pF @ 25V

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功耗(最大值)

190W (Tc)

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Vgs(最大)

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功耗(最大值)

71W (Tc)

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