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TSM4NB65CP ROG

TSM4NB65CP ROG

僅供參考

型號 TSM4NB65CP ROG
PNEDA編號 TSM4NB65CP-ROG
描述 MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO252
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,526
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 26 - 一月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM4NB65CP ROG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM4NB65CP ROG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TSM4NB65CP ROG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.37Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13.46nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds549pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)70W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

950mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

490pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

151nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8533pF @ 25V

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 160µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

117nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8410pF @ 50V

FET功能

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3520pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

2.5W (Ta)

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