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TSM650N15CR RLG

TSM650N15CR RLG

僅供參考

型號 TSM650N15CR RLG
PNEDA編號 TSM650N15CR-RLG
描述 MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM650N15CR RLG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM650N15CR RLG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TSM650N15CR RLG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs65mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1829pF @ 75V
FET功能-
功耗(最大值)96W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-PDFN (5x6)
包裝/箱8-PowerTDFN

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30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1043pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

46W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.3pF @ 3V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 55W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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