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TSM900N06CW RPG

TSM900N06CW RPG

僅供參考

型號 TSM900N06CW RPG
PNEDA編號 TSM900N06CW-RPG
描述 MOSFET N-CHANNEL 60V 11A SOT223
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 37,116
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM900N06CW RPG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM900N06CW RPG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TSM900N06CW RPG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs90mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds500pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7.8pF @ 3V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

195A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 74.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

217nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12300pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

780W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

122nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5670pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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