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TSM950N10CW RPG

TSM950N10CW RPG

僅供參考

型號 TSM950N10CW RPG
PNEDA編號 TSM950N10CW-RPG
描述 MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 38,694
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSM950N10CW RPG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSM950N10CW RPG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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TSM950N10CW RPG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs95mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1480pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)9W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-223
包裝/箱TO-261-4, TO-261AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

300A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

188nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

542pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.69mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

121nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13600pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18.1mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1370pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

760mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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