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TSN525M60HS3G

TSN525M60HS3G

僅供參考

型號 TSN525M60HS3G
PNEDA編號 TSN525M60HS3G
描述 DIODE SCHOTTKY 60V 25A 8PDFN
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 28 - 二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSN525M60HS3G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSN525M60HS3G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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TSN525M60HS3G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)25A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果630mV @ 25A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 60V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-PDFN (5x6)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 1.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 35V

電容@ Vr,F

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

143ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 600V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 1600V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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