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TSN525M60HS4G

TSN525M60HS4G

僅供參考

型號 TSN525M60HS4G
PNEDA編號 TSN525M60HS4G
描述 DIODE GEN PURP 60V 25A 8PDFN
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,046
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSN525M60HS4G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSN525M60HS4G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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TSN525M60HS4G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列Automotive, AEC-Q101
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)60V
電流-平均整流(Io)25A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果630mV @ 25A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr500µA @ 60V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-PDFN (5x6)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

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安裝類型

Surface Mount

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DO-214AA (SMB)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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速度

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反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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