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TSOD1F2HM RVG

TSOD1F2HM RVG

僅供參考

型號 TSOD1F2HM RVG
PNEDA編號 TSOD1F2HM-RVG
描述 DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123FL
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 2,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TSOD1F2HM RVG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TSOD1F2HM RVG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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TSOD1F2HM RVG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)150ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 200V
電容@ Vr,F4pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123F
供應商設備包裝SOD-123FL
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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50V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Powerex Inc.

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

150A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

7µs

當前-反向泄漏@ Vr

30mA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.16V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

13pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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75V

電流-平均整流(Io)

150mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

4pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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650V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.75V @ 4A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 650V

電容@ Vr,F

200pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

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