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TY045S200S6OT

TY045S200S6OT

僅供參考

型號 TY045S200S6OT
PNEDA編號 TY045S200S6OT
描述 DIODE ARRAY GENERAL PURPOSE
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,210
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TY045S200S6OT資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TY045S200S6OT
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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TY045S200S6OT規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)2A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.23V @ 2A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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600V

電流-平均整流(Io)

3.2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 12A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 600V

電容@ Vr,F

90pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

SK86CHR7G

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

LS101B-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

30mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 40V

電容@ Vr,F

2.1pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 800mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

400ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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